据财联社（上海，研究员 吴悠）讯，媒体报道，三星和SK Hynix这两大内存巨头最近瞄准了NAND Flash，并启动了布局投资。
据韩国媒体《中央日报》报道，三星平泽园的P2最近开始投资与非门生产线。此外，三星Xi安与非门工厂二期总投资约150亿美元，其中第一期完成25个项目，投资70亿美元，第二期投资80亿美元，预计2021年完成。
三星正式启动了平泽P2的与非门生产线建设，并于5月份开始建设洁净室，计划于2020年下半年投产。SK Hynix最近也积极部署与非门业务，并宣布将采取超字符战略，即增强技术实力，扭转当前市场劣势，缩短落后差距。
此外，SK Hynix最近制定了2020年的发展愿景，包括在“与非”领域的快速追赶。SK Hynix已进入堆叠式128层与非门的大规模生产，并积极开发堆叠式176层产品。
据WSTS统计，存储器占集成电路市场的36.1%，高于逻辑、模拟和微处理器。动态随机存取存储器领域呈现寡头垄断模式，三星、海力士、美光共占比高达95%。
其中，“与非”闪存占内存市场的44%，行业集中度极高。目前，生产能力主要集中在三星、SK海力士、美光等。业内人士称，三星、SK海力士两大巨头积极布局投资，望驱动产业链公司受益。
国产替代迫在眉睫
动态随机存取存储器领域呈现寡头垄断格局，存储器本地化迫在眉睫。
6月20日，国家记忆基地二期工程开工建设。国家存储基地项目于2016年12月30日启动，计划分两个阶段建设一个3D与非门闪存芯片工厂，总投资240亿美元。一期主要实现技术突破，月生产能力10万件，二期计划生产能力20万件/月，二期项目投产后，月生产能力合计30万件。
国鑫证券欧阳世华指出，在内存行业，动态随机存取存储器和与非门都处于快速技术突破阶段，预计下半年将批量生产动态随机存取存储器和与非门新一代产品。国产内存颗粒生产的内存模块产品已经上市销售，表明国内内存芯片行业正处于0比1的突破阶段。
东莞证券的魏红梅认为，5G手机的更换和IDC建设的升级对存储设备的需求方面有很高的把握，这有望推动NAND Flash需求迎来新一轮的增长。
财联社梳理相关上市公司：
太极产业：海泰半导体是公司的子公司，从事半导体产品的封装、封装测试、模块组装和模块测试，为SK海力士提供服务。
莱辛蔡颖：该公司的半导体制造厂和工程公司的客户包括长江仓储公司和SK Hynix(无锡)。
星森科技：公司是中国集成电路载板的龙头企业。2018年9月，它正式通过三星认证，成为mainland China唯一的三星存储集成电路封装基板供应商。
深圳科技：国家控股的最大的动态随机存储器芯片封装测试公司，年产3亿个动态随机存储器封装测试单位。该公司在内存动态随机存取存储器方面拥有世界上最新一代的产品封装和测试技术。
紫光国威：内存芯片业务主要是内存芯片，2018年销售收入6.45亿元。
华天科技：拥有LPDDR4内存4堆叠封装等高端内存封装技术，并与武汉新新达成深度合作。与包括长江存储在内的客户一起，实现了对或非闪存、3D与非和动态随机存取存储器产品的批量封装。
